Zukunftsmaterial: Azzurro baut in Dresden Fabrik für Gallium-Nitrid-Wafer

Posted by on 6. Dezember 2011
Ein Galliumnitrid-beschichterer Silizium-Wafer von Azzurro. Abb. (2): Azzurro

Ein Galliumnitrid-beschichteter Silizium-Wafer von Azzurro. Abb. (2): Azzurro

Dresden, 6.12.2011: Die Magdeburger Halbleiterfirma „Azzurro“ baut in Dresden eine Fabrik für innovative Siliziumscheiben (Wafer) mit Galliumnitrid-Beschichtung (GaN), wie sie für Leistungselektronik und Leuchtdioden benötigt werden. Das Unternehmen investiert über 19 Millionen Euro in dieses Projekt. Die Produktionsanlage entsteht in einer früheren Werkhalle an der Breitscheidstraße 78, die zum Reinraum umgerüstet wird. Hier sind für den Anfang 41 neue Arbeitsplätze geplant.

„Wir sind stolz darauf, die innovativsten Halbleitertechnologien für Sachsen gewinnen und den Cluster für das Zukunftsmaterial Galliumnitrid weiter ausbauen zu können“, kommentierte Wirtschaftsminister Sven Morlok (FDP) die Ansiedlung. Weil es sich um eine neue Technologie handelt, haben Land, Bund und EU jetzt 3,9 Millionen Euro Förderung zugesagt. Auch Wirtschaftsbürgermeister Dirk Hilbert (FDP) zeigte sich – obwohl derzeit erkrankt – höchst erfreut: „Diese erfolgreiche Ansiedlung spiegelt den stetigen Aufwärtstrend des Mikroelektronik-Clusters Dresden wider.“

Erwin Wolf

Erwin Wolf

Azzurro-Chef Erwin Wolf: “Azzurro hat sich sehr ehrgeizige Wachstumsziele für Produktionsausbau und Mitarbeiterwachstum gesetzt, die wir genau wie die stete Weiterentwicklung unserer Technologie am Standort Dresden umsetzen werden.”

Die von Azzurro genutzte Technologie geht auf die Professoren Aloys Krost und Armin Dagar zurück, die diese Methode von 1999 bis 2006 an der Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg entwickelt hatten. Dabei werden auf 150 Millimeter große Siliziumscheiben Verbindungen aus Gallium und Stickstoff aufgebracht. Damit produzierte Computerchips vertragen hohe Stromstärken und verbrauchen wenig Energie.

Auch reine GaN-Wafer (also ohne Siliziumbasisscheibe) werden inzwischen in Sachsen entwickelt (Der Oiger berichtete). Bei diesem Projekt kooperieren das Dresdner Namlab und die „Freiberger Compound Materials“ (FCM). GaN-Hableiter werden als Alternative zu Silizium beispielsweise bereits eingesetzt, um die hochfrequenten Schreib-Lese-Köpfe in Bluray-Laufwerken zu konstruieren. Im Zuge der Energiewende wird dem Material großes Marktpotenzial prophezeit, da GaN-Leistungselektronik unter anderem für Elektroautos, Solarkraftwerke, Windparks und Energiespeicher große Bedeutung erlangen könnten. Heiko Weckbrodt

 

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