Alle Artikel mit dem Schlagwort: Leistungshalbleiter

Durch den deutlichen Ausbau – über die ursprünglich im Februar 2022 angekündigte Investition hinaus – wird das Unternehmen die weltweit größte 200-Millimeter-SiC-Fabrik errichten. Visualisierung: Infineon

Infineon baut weltweit größte 200-mm-Fabrik für Siliziumkarbid-Chips in Malaysia

Nach Bosch-Testzentrum folgt nächste deutsche Hightech-Großinvestion in dem Land München/Kulim/Dresden, 3. August 2023. Nach dem Chip-Testzentrum von Bosch in Penang folgt nun die nächste deutsche Hightech-Großinvestition in Malaysia: Infineon will in Kulim für rund fünf Milliarden Euro die weltweit größte Fabrik für Siliziumkarbid-Halbleiter (SiC) bauen, die mit 200 Millimeter großen Basisscheiben (Wafer) arbeitet. Sie soll an einen bereits bestehenden Infineon-Standort andocken. Damit reagiert der bayrische Mikroelektronik-Konzern auf die starke Nachfrage für besonders moderne Leistungselektronik für Solaranlagen, Elektroautos und Energietechnik. Das hat Infineon heute angekündigt.

Präsentieren die Spaten für die neue Chipfabrik von Infineon in Dresden (von links nach rechts): Sachsens Ministerpräsident Michael Kretschmer, EU-Kommissionspräsidentin Ursula von der Leyen, Infineon-Vorstandsvorsitzender Jochen Hanebeck, Bundeskanzler Olaf Scholz und Dresdens Oberbürgermeister Dirk Hilbert. Foto: Heiko Weckbrodt

Von der Leyen: Dresden ist digitaler Leuchtturm für Europa

Baustart für Infineons 5 Milliarden Euro teure Chipfabrik Nr. 4 in Sachsen Dresden, 2. Mai 2023. Im Herbst 2026 will Infineon die Produktion von Leistungselektronik und Mischsignal-Schaltkreisen („Mixed Signal“) in seiner neuen, fünf Milliarden Euro teuren Fabrik IV in Dresden starten. Das hat das deutsche Halbleiter-Unternehmen heute in der sächsischen Landeshauptstadt vor einem symbolischen ersten Spatenstich avisiert. „Abhängig von der Marktentwicklung werden wir die Kapazitäten in der Fabrik dann hochfahren“, kündigte der Vorstandsvorsitzende Jochen Hanebeck an.

Madhu Lakshman Mysore (l.) und Xing Liu haben an der TU Chemnitz am Lestungselektronik-Projekt "Power2Power", mitgearbeitet. Hier messen sie einen Versuchsstand, siwe robust die neuen Leistungshalbleiter sind und wie sich die Kurzschluss-Gefahr senken lässt. Foto: Professur für Leistungselektronik der TUC

Hochspannende Elektronik wird langlebiger

TU Chemnitz arbeitete im „Power2Power“-Projekt mit an besserer Leistungselektronik für Solarkraftwerke und Elektroautos Chemnitz/Dresden, 19. Januar 2023. Damit die Leistungselektronik in Elektroautos, Solarkraftwerken und Eilzüge nicht mehr so schnell durchbrennt und jahrzehntelang hält, haben Forscher der TU Chemnitz im Zuge des „Power2Power“-Verbundprojektes robustere und kurzschlussfestere Transistoren mitentwickelt. Das geht aus einer Mitteilung der Chemnitzer Uni hervor.

Leistungshalbleiter wie diese vertragen Spannungen um die 1200 Volt. Nun will Infineon neben der Produktion auch die Entwicklung von Hochspannungs-Elektronik in Dresden konzentrieren. Foto: Infineon

Infineon Dresden kauft Bertelsmann-Druckerei

Chipkonzern will dorthin Innovationszentrum, Ausbildung und Logistik auslagern Dresden, 19. Dezember 2022. „Infineon“ kauft dem „Bertelsmann“-Konzern die stillgelegte „Prinovis“-Druckerei in Dresden ab. Das hat der Mikroelektronik-Hersteller heute angekündigt. Infineon will in dem rund 54.000 Quadratmeter umfassenden Gebäude ein Innovations- und Ausbildungszentrum sowie ein Logistik-Drehkreuz unterbringen, um auf dem Werkscampus in Dresden-Klotzsche Platz für seine geplante neue Chip-Megafabrik zu schaffen. Den Kaufpreis wollten die Partner aber nicht nennen.

Eine Mitarbeiterin veredelt an dieser 35PE-Anlage im Technologiezentrum Dresden GaAs-Wafer im Hochvakuum zu GaAs-Leistungshalbleitern. Foto: 35PE/Kristin SchmidtEine Mitarbeiterin veredelt an dieser 35PE-Anlage im Technologiezentrum Dresden GaAs-Wafer im Hochvakuum zu GaAs-Leistungshalbleitern. Foto: 35PE/Kristin Schmidt

„3-5 Power Electronics“: Hochvolt-Dioden aus Galliumarsenid nun serienreif

Dresdner Chipfirma sieht großes Potenzial für Solar- und Lade-Elektronik Dresden, 28. August 2022. Damit Schnelllade-Stationen für Elektroautos und Solaranlagen künftig effizienter arbeiten, hat „3-5 Power Electronics“ aus Dresden nach eigenen Angaben nun Dioden aus Gallium-Arsen-Verbindungen für Spannungen um die 1200 Volt zur Serienreife geführt. Das geht aus einer Mitteilung des Leistungshalbleiter-Unternehmens hervor.

Wenn ein Elektroauto und die Ladestation entsprechend ausgerüstet sind, können Ströme in beide Richtungen fließen. So lässt sich der Autoakku dann auch als Notstromaggregat fürs Eigenheim nutzen. Infineon und Delta setzen dabei auf Wechselrichter aus Siliziumkarbid. Foto: Infineon (Pressedatenbank)

Elektroauto als Notstrompuffer fürs Eigenheim

Infineon und Delta unternehmen neuen Anlauf mit Siliziumkarbid, um bidirektionales Laden zu etablieren München/Taipeh, 27. Juli 2022. Um Elektroautos effizienter als bisher als Notstromspeicher fürs Eigenheim einzusetzen, haben die Halbleiterkonzerne Infineon und Delta Electronics aus Deutschland und Taiwan gemeinsam ein bidirektionales Ladesystem auf Siliziumkarbid (SiC) entwickelt. Durch den modernen Verbindungshalbleiter halbieren sich laut Infineon die Energiewandelverluste beim zweiseitigen Laden gegenüber früheren Lösungen. Erreichbar seien Spitzenwirkungsgrade über 97,5 Prozent, teilten die Bayern mit.

Die 300-mm-Scheiben, die Infineon für seine neuen Leistungs-Halbleiter verwendet, sind so dünn, dass sie biegsam werden. Foto: Infineon

Infineon plant neues Fabrikmodul in Dresden

Die Entscheidung über die Multimillionen-Investition ist noch nicht gefallen. Die Zeit drängt aber, denn die Nachfrage für Hochspannungs-Chips steigt. Dresden, 25. Oktober 2019. Weil für die Energiewende und für den Umstieg auf Elektroautos mehr und mehr Leistungselektronik gefragt ist, erwägt Infineon Dresden nun, ein viertes Fabrikmodul in Klotzsche zu bauen. In dem Neubau sollen voraussichtlich auf 300 Millimeter großen Siliziumscheiben (Wafer) spezielle Chips hergestellt werden, die hohe Spannungen und starke Ströme verkraften. Das hat Standortsprecher Christoph Schumacher auf Anfrage bestätigt. Allerdings habe die Infineon-Konzernspitze noch nicht über dieses Dresdner Projekt entschieden.

Eine Mitarbeiterin veredelt an dieser 35PE-Anlage im Technologiezentrum Dresden GaAs-Wafer im Hochvakuum zu GaAs-Leistungshalbleitern. Foto: 35PE/Kristin SchmidtEine Mitarbeiterin veredelt an dieser 35PE-Anlage im Technologiezentrum Dresden GaAs-Wafer im Hochvakuum zu GaAs-Leistungshalbleitern. Foto: 35PE/Kristin Schmidt

35PE Dresden entwickelt Elektronik für Ultraschnell-Ladesäulen

Galliumarsenid-Leistungshalbleiter sollen effektiver als Karbid-Konkurrenz sein Dresden, 30. September 2019. Dass sich Elektroautos bisher in Deutschland nicht durchgesetzt haben, hat viele Gründe. Dazu gehören die höheren Preise von E-Fahrzeugen im Vergleich zu Autos der gleichen Leistungsklasse mit Verbrennungsmotoren, die geringe Reichweite und das noch rechte dünne Netz aus standardisierten, leistungsstarken Ladessäulen. Und nicht zuletzt dauert es deutlich länger, ein E-Auto aufzuladen als einen Benziner vollzutanken. Um zumindest dieses Problem zu mindern, arbeiten Ingenieure weltweit an neuen „Ultraschnell-Ladesstationen“. Sie sollen die Stromer binnen 20 Minuten aufladen. Das Karlsruher Institut für Technologie (KIT) hat dafür besondere Leistungselektronik der Dresdner Halbleiter-Firma „35PE“ unter die Lupe genommen.

Die 300-mm-Scheiben, die Infineon für seine neuen Leistungs-Halbleiter verwendet, sind so dünn, dass sie biegsam werden. Foto: Infineon

Infineon vervierfacht bis 2017 Kapazität im 300-mm-Chipwerk Dresden

Grund: Nachfrage für Leistungs-Halbleiter steigt Dresden, 17. Juli 2015. Das 300-mm-Spezialchipwerk für Leistungs-Halbleiter von Infineon Dresden füllt sich nun doch: Das Unternehmen sei derzeit dabei, die Produktionskapazitäten dort zu verdoppeln, teilte Helmut Warnecke, einer der beiden Geschäftsführer von Infineon Dresden, auf Oiger-Nachfrage mit. Eine weitere Kapazitätsverdoppelung sei bis zum Jahr 2017 vorgesehen. Dann werde das Werk auf bis zu 4000 Waferstarts kommen. Es sei deutlich geworden, dass die Nachfrage für Leistungshalbleiter steige, erklärte Warnecke.

Abb.: International Rectifier

Infineon hat US-Chipfirma Rectifier übernommen

Kartellbehörden und Aktionäre gaben Okay für Milliarden-Kauf München/El Segundo/Dresden, 13. Januar 2015: Infineon hat heute den rund drei Milliarden Dollar (ca. 2,54 Mrd. €) Kauf der amerikanischen Leistungshalbleiter-Firma „International Rectifier“ abgeschlossen. Das teilte der deutsche Chipkonzern heute in München mit. Das Unternehmen hatte die Übernahme bereits im August 2014 angekündigt, danach aber erst noch das Okay der Kartellbehörden und der Rectifier-Aktionäre abwarten müssen.

Abb.: International Rectifier

Schub für Dresdner Infineon-Fab durch „Rectifier“-Deal erwartet

Foundry-Aufträge der US-Chip-Firma könnten teils nach Dresden gehen Dresden, 21. September 2014: Wenn die milliardenschwere Übernahme der US-Chipfirma „International Rectifier“ (IR) gelingt, wird dieser Deal wahrscheinlich auch dazu führen, dass die jüngste 300-Millimeter-Fabrik von Infineon in Dresden schneller hochgefahren und besser ausgelastet wird. Diese Einschätzung verlautete aus Branchenkreisen.

Abb.: International Rectifier

Infineon kauft US-Chipfirma „International Rectifier“

Milliarden-Deal soll Leistungs-Halbleiter-Sparte stärken Neubiberg/El Segundo, 20. August 2014: Kaum konsolidiert, geht Infineon auch schon auf eine milliardenteure Einkaufstour: Der deutsche Chip-Konzern kauft die auf Leistungshalbleiter spezialisierte US-Firma „International Rectifier“. Wie Infineon-Boss Reinhard Ploss heute in Neubiberg mitteilte, kostet die – teilweise kreditfinanzierte – Übernahme die Deutschen rund drei Milliarden Dollar (2,26 Milliarden Euro) kosten.

Kohlenstoff-Chips sollen die Stromwandler in Solaranlagen kleiner und sparsamer machen. Foto: NeuLand/Infineon

Infineon arbeitet an Stromspar-Chips aus Kohlenstoff

„NeuLand“-Forscher setzen auf Siliziumkarbid und Galliumnitrid Neubiberg, 23. Juni 2014: Künftige Kohlenstoff-Leistungshalbleiter werden nur noch halb so viel Energie verbrauchen wie herkömmliche Elektronik-Chips, die ganz aus Silizium hergestellt sind. Das hat das bundesgeförderte Industrieforschungs-Projekt „NeuLand“ ergeben. Dieses Projekt hat nichts mit dem Aufbruch der Kanzlerin ins Internet zu tun, sondern widmet sich unter Federführung des deutschen Mikroelektronik-Konzerns „Infineon“ neuartigen Leistungs-Halbleitern, die aus Silizium-Karbid (SiC) beziehungsweise Galliumnitrid auf Siliziumscheiben (GaN on Si) bestehen.

Neuer Schub für eAutos aus Peking

Siemens und BAIC wollen große Elektroantrieb-Fabrik einrichten Peking, 20. April 2014: Siemens und der chinesische Autohersteller „BAIC“ wollen in Peking eine Fabrik einrichten, die ab 2015 massenhaft elektrische Antriebe für eAutos herstellt. Siemens soll die Elektromotoren-Technologie und Leistungselektronik beisteuern, die dann in BAIC-eAutos eingebaut werden. Gegründet haben beide Konzerne dafür nun das Joint-Venture „Beijing Siemens Automotive E-Drive System Co. Ltd“.